三星S21系列推送One UI 4 Beta 5更新：性能提升增强稳定性
据IT之家了解，三星 Galaxy S21 5G 系列国行手机均搭载骁龙 888 处理器、120Hz 动态自适应刷新率屏幕，其中 Ultra 版本为 2K 分辨率，屏幕支持 S Pen 手写笔。该系列机型均搭载 1200 万像素超广角摄像头，S21、S21+ 配备 1200 万像素主摄，S21 Ultra 配备 1.08 亿像素主摄。
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北京时间3月8日晚间消息，市场研究机构Chitika Insights的调查显示，二月份iPad在美国的使用率为80.5%，比一月份略微降低了0.5%。 数据还显示，排行第二的Kindle Fire和三星Galaxy平板过去两个月的份额分别增长了86%和62%，不过二者起点较低，目前仍只占据8.0%和4.2%的份额。 其他所有平板电脑的份额均不足1.8%。尽管使用率不能完全反映销量，但一些平板电脑厂商没有办法获得足够的营收，预计一年左右将会退出。谷歌和微软还有实力继续观望能否获得足够的份额。如果黑莓的新款智能手机没办法吸引用户，其平板电脑的命运也悬了。(冰岩)
日本曾是OLED面板技术领先全球的国家，其他几个国家只能望其项背，苦苦追赶。无奈在一度退出OLED市场之后，目前再重回OLED市场，角色却产生了变化，从过去的领先者，变成现在的追赶者。所追赶的，当然是目前称霸全球的韩国三星电子。 附图: /news/2013/01/15/1721112880.jpg 然而目前，日本很有机会再将技术领先的地位给要回去。根据日经新闻报导，日本九州大学的先进有机光电子研究中心（OPERA），已经研发出一种高萤光材料，这样一种材料将使用于第三代OLED，使其发光效率更好，成本也能更低廉。 据了解，这种最新的发光材料已经是第三代技术。回顾第一代与第二代技术，第一
集微网消息，市场近日传出，三星电子计划提前三个月运营平泽工厂P3生产线因应全球芯片短缺。 据THE ELEC报道，三星电子供应商EcoPro HN的社长Yoon Seong-jin在周二的电话会议上表示，三星已要求该公司在今年12月之前提供过滤器产品，而不是之前约定的2022年初的截止日期。 Yoon Seong-jin称，由于近期的芯片短缺问题，三星电子计划提前三个月开始运营平泽工厂P3生产线。 据悉，三星电子计划在其平泽工厂建设共计六条芯片生产线芯片生产线的建设始于去年下半年，但产能和投资目前尚未被公布。 知情的人说，该条生产线非常有可能会用来生产存储芯片或者代工芯片。P3预计将于2023年上半年开始运营。然而，由于
半导体将减少10%晶圆投片量 EUV产线 日消息，据韩媒 Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。 报道称，三星半导体将在第三季度开始，对华城园区 S3 工厂进行减产作业。S3 工厂是三星半导体于 2018 年建成投产的 12 英寸生产线nm 产品，也是三星半导体 EUV 先进工艺的主力生产厂之一，三星为其部署了多台 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻机。 Aju News 指出，此次减产是三星近几年来首度人为减少半导体工厂晶圆投片量。 业内人士指出，在半导体行业低迷期，三星为了逆周期投资以挤压台积电等竞争对手，直至今年年初仍
高通骁龙810芯片过热事件持续延烧，不仅传遭三星狠心抛弃，未来还可能遭三星自制芯片反咬。另外，统计多个方面数据显示，高通处理器芯片在中国Android阵营称王的位置也岌岌可危。 高通上周在财报上揭露，某大客户下一代旗舰机将不会采用骁龙810芯片，分析师一致认为高通指的是三星，但原因却众说纷纭。彭博社日前报导指出是因为骁龙810有过热问题，但华尔街日报认为，芯片过热只是借口，三星想推自家14 纳米打造的Exynos处理器才是动机。 其实，三星对外从不隐晦对14纳米制程的能力，该公司在上周四的法说会上表示，14纳米产能足以同时满足企业内部，以及外部客户的真实需求。三星也透露正在推销Exynos芯片至其它手机厂，摆明要跟
日本NTT考虑与三星建合资工厂开发芯片 9月14日下午消息，据日本经济新闻报道，日本NTT移动通信网(NTT DoCoMo)和数家日本硬件业者将与韩国三星电子合作，开发下一代智能手机使用的关键芯片，以减少对美国高通的依赖。 根据报道，NTT DoCoMo、富士通、NEC与松下旗下的松下移动通讯等公司，正与三星洽谈成立合资企业，以开发控制无线通讯与讯号的芯片。目前协商已确定进入最后阶段，最快明年就会敲定。 这一些企业担心，由于高通掌控智能手机芯片市场，开发新一代手机将大受限制。目前高通在智慧手机的基频晶片(baseband chip)中，市场占有率高达80%。 DoCoMo发言人表示：“我们正
洽谈成立合资企业 开发智能手机芯片 /
据报道，三星本周将向美国总统拜登展示其下一代3纳米芯片技术，这种3纳米GAA工艺有望很快开始量产。美国总统拜登将在本周向访问三星平泽园区。 三星可能旨在说服拜登，让美国公司向其3纳米GAA工艺下订单。据报道，美国总统拜登将抵达首尔进行为期三天的访问，据韩联社报道，这次访问将包括参观三星的平泽工厂，该工厂也是世界上最大的芯片代工工厂，位于首尔以南约70公里处。除拜登外，据说三星副董事长李在镕也将陪同他参观，以展示下一代大规模生产的全部过程。 几个月来，据报道，三星将开始大规模生产其3纳米Gate-All-Around（GAA）技术，超过其4纳米节点，该节点用于大规模生产高通的骁龙8代。 三星将向拜登展示一款3纳米的芯片，
美国媒体22日报道，韩国三星电子公司计划在美国得克萨斯州泰勒市建芯片工厂，预计投资大约170亿美元。 《华尔街日报》援引消息人士的话报道，上述消息可能最早于23日宣布。得州州长定于当地时间23日傍晚宣布一项“经济方面”的消息。 报道说，预期在泰勒市新建的芯片工厂将创造大约1800个工作岗位。不过，这家工厂预计2024年年底才投产。为吸引三星投资建厂，泰勒市开出非常优厚的条件，优惠力度相当于头十年房产税减免多达92.5%。 作为全世界营收最多的芯片制造商，三星电子计划今后3年投资超过2050亿美元，其中芯片制造是重中之重。 韩联社21日报道，三星电子副会长李在镕正在美国考察，19日与美国白宫高层会面，讨论美国政府为半导体企业提
决定美国得州建芯片厂，对标台积电美国工厂 /
2410开发板ALLEGRO BRD原文件
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